К174УН11, ТDА2020  


        Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 15 Вт на нагрузку 4 Ома. Имеет защиту выходного каскада от короткого замыкания и перегрузок. Аналог микросхемы TDA2020. Содержит 150 интегральный элемента. Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.14.-12. Масса не более 1,5 гр.

 

Назначение выводов:

1 - питание +Uи.п.;
3,12 - вывод задания режима;
5 - питание -Uи.п.;
7 - вход;
8 - обратная связь;
9,10 - коррекция;
14 - выход;

Корпус ИМС К174УН11 (тип 201.14-12)

 

 

Принципиальная схема ИМС К174УН11

 

Типовая схема включения ИМС К174УН11

 

Электрические параметры

  1     Номинальное напряжение питания (двухполярное)   ± 17В ± 10%
  2     Ток потребления при Uп = ± 17 В, Uвх = 0 В не более   100 мА
  3     Выходная мощность при Uп = ± 17 В, Rн = 4 Ома, Кг = 1%   15 Вт
  4  
 
  Коэффициент гармоник при Uп = ± 17 В, Rн = 4 Ома,
  Рвых = 0,15…15 Вт
 
  Ј 1 %
  5  
 
  Максимальное входное напряжение при Uп = ± 17 В,
  Рвых = 10 Вт
не более
 
  250 мВ
  6     Напряжение шумов на выходе при Uп = ± 17 В, Rн = 4 Ома       Ј 1,0 мВ
  7     Коэффициент подавления пульсаций частотой 100 Гц   і 45 Дб
  8     Входное сопротивление при Uп = ± 17 В, fвх = 1 кГц   і 100 кОм

 

Предельно допустимые режимы эксплуатации

  1     Напряжение питания   ± 5 … ± 18 В
  2     Максимальный ток нагрузки при Uп = ± 17 В, Rн = 0,1 Ома     2,4 А
  3     Максимальное входное напряжение   Ј 10 В
  4  
 
  Тепловое сопротивление:
  кристалл-среда
 
  70°С/Вт
  5     Температура окружающей среды   - 10 …+ 55°С
  6     Температура кристалла   + 150 °С

 

Общие рекомендации по применению

        При проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек выводов микросхемы. Температура пайки 235 ± 5°С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с.

        Рекомендуется использовать микросхему только в типовой схеме включения. Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода.

        При эксплуатации микросхемы необходимо предусмотреть ее защиту от случайного увеличения напряжения питания. Допустимое значение статического потенциала 200 В.

Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.

 

Хостинг от uCoz