К174УН7, ТBА810AS, LA4420  

        Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом. Аналог микросхемы TBA810AS и LA4420 (функциональный аналог). Микросхема предназначена для применения в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.12.-1, 238.12-2. Масса не более 2,0 и 2,5гр соответственно (ТУ 1986г.).

 

   

тип 201.12-1                                тип 238.12-2

Корпус ИМС К174УН7

 

Назначение выводов:

1 - питание +Uи.п.;
4 - цепь обратной связи для регулировки Ку.u;
5 - коррекция;
6 - обратная связь;
7 - фильтр;
8 - вход;
9 - общий - Uи.п..
10 - эмиттер выходного транзистора;
12 - выход;

Принципиальная схема ИМС К174УН7.

 

Типовая схема включения ИМС К174УН7.

Электрические параметры

  1     Номинальное напряжение питания 15 В ± 10%
  2  
  		  Выходное напряжение при
  Uп = 15 В, fвх = 1 кГц		  
  2,6…5,5 В
  3  
  		  Максимальное входное напряжение при Uп = 15 В,
  Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Рвых = 2,5 Вт		  
  30…70 мВ
  4     Ток потребления при Uп = 15 В   5…20 мА
  5     Выходная мощность при Rн = 4 Ома   4,5 Вт
  6  
 
 
  		  Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц:
  Uвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт
  Uвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт
  Uвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт 		 
  Ј 10 %
  Ј 2 %
  Ј 2 %
  7     Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10…+55°С   і 45
  8     Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц   і 30 кОм
  9     Диапазон рабочих частот   40…20 000 Гц  
10     Коэффициент полезного действия при Pвых = 4,5 Вт   50 %

 

Предельно допустимые режимы эксплуатации

  1     Напряжение питания   13,5…16,5 В
  2     Амплитуда входного напряжения   Ј 2,0В
  3  
 
  		  Постоянное напряжение:
  на выводе 7
  на выводе 8 		 
  Ј 15 В
  0,3…2,0 В
  4     Сопротивление нагрузки   і 4 Ом
  5  
 
  		  Тепловое сопротивление:
  кристалл-корпус
  кристалл-среда 		 
  20°С/Вт
  100°С/Вт
  6     Температура окружающей среды         -10…+55°С
  7     Температура кристалла   + 85 °С

 

Общие рекомендации по применению

Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60°С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
Р=(150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом),
где Ткорп - температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы.

Допускается кратковременное (в течении 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы недопустима. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.

 

Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.

Хостинг от uCoz